المنزل > manufacturers >

فيشاي أشباه الموصلات

فيشاي أشباه الموصلات
فيشاي أشباه الموصلات
  • مقدمة
  • أحدث المنتجات
مقدمة

فيشاي أشباه الموصلات

شركة فيشاي جنرال سيمكوندكتور تصمم وتصنع مجموعة واسعة من مكونات أشباه الموصلات، بما في ذلك المُعديات، وحدات الإشارة، منظمات الجهد، المفاتيح، وحدات تعديل الإشارة، خلاطات الإشارة،أجهزة تعديل الإشارة، والمذبذبات. يضم عملاء شركة Vishay General Semiconductor الشركات الرائدة في مجال تصنيع الإلكترونيات الاستهلاكية والإضاءة ومعدات الاتصالات السلكية واللاسلكية وأجهزة الكمبيوتر ومنتجات السيارات.

أحدث المنتجات
صورة جزء # الوصف manufacturer الأسهم RFQ
SIS426DN-T1-GE3 فيشاي سيليكونيكس ماوسر

SIS426DN-T1-GE3 فيشاي سيليكونيكس ماوسر

N-قناة 20 فولت (DS) MOSFET
10000
DG302BDJ

DG302BDJ

التبديل التناظري المرحلية DPST التبديل التناظري
DG413HSDJ-E3

DG413HSDJ-E3

الدوائر التناظرية التبديل المرحلية رباعية أحادية SPST
DG309DY-T1-E3

DG309DY-T1-E3

الدوائر التناظرية التبديل المرحلية رباعية أحادية SPST
DG401BDY

DG401BDY

مكالمات التبديل التناظرية منخفضة الفولت SPST مزدوجة
DG411HSDY

DG411HSDY

الدوائر التناظرية التبديل المرحلية رباعية أحادية SPST
DG418BDJ

DG418BDJ

محولات IC التناظرية Quad Mono CMOS SPST
DG2001DV-T1-E3

DG2001DV-T1-E3

التبديل التناظري المرحلية SPDT التبديل التناظري
DG9411DL-T1-E3

DG9411DL-T1-E3

التبديل التناظري المرحلية SPDT التبديل التناظري
DG201HSDQ-T1-E3

DG201HSDQ-T1-E3

التبديل التناظري المرحلية رباعية SPST التبديل
DG413HSDY

DG413HSDY

الدوائر التناظرية التبديل المرحلية رباعية أحادية SPST
DG403BDY-E3

DG403BDY-E3

الدوائر التناظرية ذات التبديل المزدوج SPDT 22/25V
DG211BDY-E3

DG211BDY-E3

التبديل التناظري المرحلية رباعية SPST التبديل
LH1262CACTR

LH1262CACTR

MOSFET مخرجات Optocouplers سائق MOSFET الكهروضوئي المزدوج
LH1262CB

LH1262CB

MOSFET مخرجات Optocouplers سائق MOSFET الكهروضوئي المزدوج
LH1262CAC

LH1262CAC

MOSFET مخرجات Optocouplers سائق MOSFET الكهروضوئي المزدوج
SUD50N06-09L-E3

SUD50N06-09L-E3

MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
SIHF23N60E-GE3

SIHF23N60E-GE3

MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
SIS472DN-T1-GE3

SIS472DN-T1-GE3

موسفيت 30 فولت 20 أمبير 28 وات
SQJ850EP-T1_GE3

SQJ850EP-T1_GE3

MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 مؤهل
SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET
VS-50PFR160W

VS-50PFR160W

المصلحون 50 آمبر 1600 فولت 830 آمبر IFSM
FES16ATHE3/45

FES16ATHE3/45

مقومات 50 فولت 16 أمبير 35 نانو ثانية مفردة
VS-87HFR60

VS-87HFR60

مقومات 600 فولت 85 أمبير
VS-1N3210R

VS-1N3210R

VS-HFA16TB120SPBF

VS-HFA16TB120SPBF

VS-42HF160

VS-42HF160

مقومات 1600 فولت 40 أمبير
مقابل-SD303C12S15C

مقابل-SD303C12S15C

مقومات 1200 فولت 350 أمبير
FEP30CP-E3/45

FEP30CP-E3/45

المصلحات 30 آمبر 150 فولت
VS-HFA90NH40PBF

VS-HFA90NH40PBF

مقومات 400 فولت 170 أمبير