HGTG40N60A4
المواصفات
بوابة تسرب باعث الحالي::
+/- 250 غ
فئة المنتج ::
الترانزستورات IGBT
أسلوب التركيب::
من خلال الثقب
تيار المجمع المستمر عند 25 درجة مئوية ::
75 أ
PD - تبديد الطاقة::
625 واط
جامع - باعث الجهد VCEO ماكس::
600 فولت
الحزمة / الحالة::
TO-247-3
أقصى درجة حرارة للتشغيل::
+ 150 درجة مئوية
الحد الأقصى لجهد باعث البوابة::
+/- 20 فولت
التعبئة والتغليف::
أنبوب
إعدادات ::
العازب
جامع باعث تشبع الجهد ::
1.7 فولت
الصانع ::
فيرتشايلد أشباه الموصلات
مقدمة
HGTG40N60A4، من Fairchild Semiconductor، هي ترانزستورات IGBT. ما نقدم له سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
منتجات ذات صلة

FGL60N100BNTDTU
IGBT Transistors HIGH POWER

FGH40T65SHDF_F155
IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT

FGA30T65SHD
IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT

FGBS3040E1_F085
IGBT Transistors SMART IGBT

FGH40T100SMD_F155
IGBT Transistors 1000V 40A FS TIGBT

FGH75N60UFTU
IGBT Transistors N-CH / 600V 75A FS Planar

FGB3040CS
IGBT Transistors IGBT EcoSPARK 300mJ 400V NCh Cur Sen Ign

FGH40T120SMDL4

FGA15N120ANTDTU
IGBT Transistors 1200V NPT Trench

HGTG20N60A4D
IGBT Transistors 600V
صورة | جزء # | الوصف | |
---|---|---|---|
![]() |
FGL60N100BNTDTU |
IGBT Transistors HIGH POWER
|
|
![]() |
FGH40T65SHDF_F155 |
IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
|
|
![]() |
FGA30T65SHD |
IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
|
|
![]() |
FGBS3040E1_F085 |
IGBT Transistors SMART IGBT
|
|
![]() |
FGH40T100SMD_F155 |
IGBT Transistors 1000V 40A FS TIGBT
|
|
![]() |
FGH75N60UFTU |
IGBT Transistors N-CH / 600V 75A FS Planar
|
|
![]() |
FGB3040CS |
IGBT Transistors IGBT EcoSPARK 300mJ 400V NCh Cur Sen Ign
|
|
![]() |
FGH40T120SMDL4 |
|
|
![]() |
FGA15N120ANTDTU |
IGBT Transistors 1200V NPT Trench
|
|
![]() |
HGTG20N60A4D |
IGBT Transistors 600V
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: