SMUN5312DW1T1G
الصانع:
نصف
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات ثنائية القطب (BJT) مصفوفات الترانزستور ثنائي القطب، مسب
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
100 مللي أمبير
حالة المنتج:
نشط
نوع الترانزستور:
1 NPN ، 1 PNP - منحاز مسبقًا (مزدوج)
التردد - الانتقال:
-
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
شريط قطع (CT)
ديجي ريل®
السلسلة:
-
Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic:
250 مللي فولت عند 300 ميكرو أمبير، 10 مللي أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
50 فولت
حزمة أجهزة المورد:
SC-88 / SC70-6 / SOT-363
المقاوم - القاعدة (R1):
22 كيلو أوم
مفر:
نصف
المقاوم - قاعدة الباعث (R2):
22 كيلو أوم
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
500nA
أقصى القوة:
187 ميجاوات
الحزمة / الحقيبة:
6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce:
60 @ 5 مللي أمبير، 10 فولت
رقم المنتج الأساسي:
SMUN5312
مقدمة
ترانزستور ثنائي القطب المتحيز مسبقًا (BJT) 1 NPN ، 1 PNP - متحيز مسبقًا (مزدوج) 50V 100mA 187mW سطح سطح SC-88/SC70-6/SOT-363
منتجات ذات صلة
SMUN5114DW1T1G
SMUN5233DW1T1G
NSBC114EDP6T5G
MUN5234DW1T1
NSBA143TDXV6T1
IMH20TR1G
NSBA143TDXV6T5G
NSVMUN5336DW1T1G
NSM21356DW6T1G
MUN5316DW1T1G
NSBC123JPDXV6T5
SMUN5214DW1T1G
EMG2DXV5T5G
NSBC123TDP6T5G
NSM46211DW6T1G
EMF5XV6T5
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: