UMH2N
الصانع:
تكنولوجيا يانججي
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات ثنائية القطب (BJT) مصفوفات الترانزستور ثنائي القطب، مسب
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى):
100 مللي أمبير
حالة المنتج:
نشط
نوع الترانزستور:
2 NPN - متحيز مسبقًا (مزدوج)
التردد - الانتقال:
250 ميجا هرتز
نوع التثبيت:
جبل السطح
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR)
السلسلة:
UMH2N
Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic:
300 مللي فولت عند 500 ميكرو أمبير، 10 مللي أمبير
الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى):
50 فولت
حزمة أجهزة المورد:
سوت -363
المقاوم - القاعدة (R1):
-
مفر:
تكنولوجيا يانججي
المقاوم - قاعدة الباعث (R2):
-
التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى):
500nA
أقصى القوة:
150 ميجاوات
الحزمة / الحقيبة:
6-TSSOP ، SC-88 ، SOT-363
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce:
68 @ 5 مللي أمبير، 5 فولت
رقم المنتج الأساسي:
UMH2
مقدمة
ترانزستور ثنائي القطب المتحيز (BJT) 2 NPN - المتحيز المتحيز (المزدوج) 50 فولت 100mA 250MHz 150mW سطح الصعود SOT-363
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: