المرشحات
المرشحات
أشباه الموصلات
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP034NE7N3GXKSA1 |
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CSD16406Q3 |
MOSFET N-Ch NexFET دوائر MOSFET القوية
|
أدوات تكساس
|
|
|
|
|
|
IPB80N03S4L-03 |
MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPA60R125P6XKSA1 |
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPA60R080P7XKSA1 |
موسفيت N-قناة 600 فولت 37 أمبير TO220
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
BSS126L6327HTSA1 |
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDMS7658AS |
MOSFET N-CH 30V POWER56
|
نصف
|
|
|
|
|
|
2N7002،215 |
MOSFET N-CH TRNCH 60 فولت 300MA
|
نيكسبريا
|
|
|
|
|
|
BSZ075N08NS5ATMA1 |
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IXTT500N04T2 |
MOSFET خندق T2 الطاقة MOSFET
|
إكسيس
|
|
|
|
|
|
IXFR30N50Q |
موسفيت 30 أمبير 500 فولت 0.16 طريق
|
إكسيس
|
|
|
|
|
|
IPP65R190C6XKSA1 |
MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220-3
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IRF5800TRPBF |
موسفيت P-CH 30V 4A 6-TSOP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDZ193P |
MOSFET MFET-20V P-CH 1.7V PowerTrench WL-CSP
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IPW60R099P6XKSA1 |
موسفيت N-CH 600 فولت TO247-3
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDS6910 |
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
|
نصف
|
|
|
|
|
|
IPP60R330P6XKSA1 |
MOSFET POWER_LEGACY المنخفض
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
PMPB43XPE،115 |
موسفيت PMPB43XPE/SOT1220/ريل 7 بوصة Q1/T
|
نيكسبريا
|
|
|
|
|
|
IRF6646TR1 |
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CSD17318Q2T |
MOSFET قناة 30V 25A 6WSON
|
أدوات تكساس
|
|
|
|
|
|
IPD60R2K1CEAUMA1 |
مستهلك موسفيت
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
STP46NF30 |
موسفيت إن سي إتش 300 فولت 42 أمبير TO-220
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
FDN338P |
MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3
|
نصف
|
|
|
|
|
|
SIS472DN-T1-GE3 |
موسفيت 30 فولت 20 أمبير 28 وات
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
بي إس إس 138 دبليو |
MOSFET 50V N-CH المستوى المنطقي
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
NTMD2C02R2G |
MOSFET N / P-CH 20V 8SOIC
|
نصف
|
|
|
|
|
|
STF7NM80 |
MOSFET N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
FDS4685 |
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
|
نصف
|
|
|
|
|
|
IPD127N06LGBTMA1 |
MOSFET N-CH 60V 50A إلى -252
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
DMN61D8LVT-13 |
MOSFET 60V تحويل الصمام الثنائي 1.8Ohm عند 5Vgs 470mA
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
DMC1229UFDB-13 |
MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
NTMFS4823NT1G |
MOSFET NFET SO8FL 30 فولت
|
نصف
|
|
|
|
|
|
IRFR1205 |
موسفيت N-CH 55V 44A DPAK
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SQJ850EP-T1_GE3 |
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 مؤهل
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
DMN1019UFDE-7 |
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
IRF7807D1TRPBF |
موسفيت N-CH 30 فولت 8.3 أمبير 8-سويك
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPB160N04S4LH1ATMA1 |
MOSFET N-CH TO263-7
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SIS892ADN-T1-GE3 |
MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IXTP10N60P |
MOSFET 10.0 أمبير 600 فولت 0.74 أوم Rds
|
إكسيس
|
|
|
|
|
|
SI4334DY-T1-GE3 |
موسفيت 30 فولت 14.8 أمبير 5.2 واط 13.5 مللي أوم @ 10 فولت
|
سيليكونيكس / فيشاي
|
|
|
|
|
|
IRFR24N15DTRPBF |
موسفيت موسفت 150 فولت 24 أمبير 95 مللي أوم 30nC
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
DMNH4015SSD-13 |
موسفيت 2 قناة N 11A 8SO
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
TPHR6503PL،L1Q |
MOSFET 30 فولت قناة N
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
NTMFD4C20NT3G |
موسفيت 2N-CH 30 فولت SO8FL
|
نصف
|
|
|
|
|
|
NVMFD5C462NT1G |
40 فولت 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
|
نصف
|
|
|
|
|
|
IPA65R420CFDXKSA1 |
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CPC3909ZTR |
MOSFET 400V N-Channel-Mode FET
|
الدوائر المتكاملة IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFH44N50Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V / 44A
|
إكسيس
|
|
|
|
|
|
ILR8721TRPBF |
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDPC4044 |
MOSFET 2N-CH 8MLP
|
نصف
|
|
|