المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MT3الشركة |
IC DRAM 4G 1600MHZ
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT48LC4M16A2TG-75 لتر:ز |
IC DRAM 64M بالتوازي 54TSOP
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT2الشركة الوطنية |
IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
M27C4002-80C6 |
إي سي إيبروم 4M بالتوازي 44PLCC
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MX25R4035FBDIH1 |
IC FLASH 4MBIT
|
مكسيك، ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
M29W400DB70ZE6E |
IC FLASH 4M PARALLEL 48TFBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT47H64M8SH-25E AAT:H |
IC DRAM 512M متوازية 400MHZ
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
EDW4032BABG-60-FD |
ذاكرة IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MX29GL512FDT2I-11G |
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP (أجهزة التحكم في المعلومات)
|
مكسيك، ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
MTFC128GAJAECE-5M آيت |
اي سي فلاش 1T MMC
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR |
TLC 512G 64GX8 VBGA DDP
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
W25Q32BVSSJG TR |
ذاكرة فلاش IC 32 ميجابايت
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
N25Q128A13ESED0F TR |
إيك فلاش 128 متر SPI 108 ميجا هرتز سويش
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
W25Q16DVSSIQ TR |
إيك فلاش 16 متر SPI 104 ميجا هرتز 8 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
M29W400DB45N6E |
فلاش اي سي 4 متر متوازي 48 تسوب
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
M50FW080NB5TG تي آر |
فلاش IC 8M موازي 32TSOP
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT40A2G4PM-083E: أ |
IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
PSD813F1VA-20JI |
فلاش اي سي 1 متر متوازي 52PLCC
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
AT25DF641A-MH-T |
إيك فلاش 64 متر SPI 100 ميجا هرتز 8UDFN
|
تقنيات Adesto
|
|
|
|
|
|
MT53B256M64D2NK-053 وت:C تر |
إيك درام 16 جيجا 1866 ميجا هرتز FBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
AT25XV021A-MHV-T |
إيك فلاش 2 متر SPI 70 ميجا هرتز 8UDFN
|
تقنيات Adesto
|
|
|
|
|
|
MT29F4G16ABBDAHC:D TR |
اي سي فلاش 4G متوازي 63VFBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT48LC16M16A2P-6A AIT:G |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
M27C801-100N1 |
IC EPROM 8M PARALLEL 32TSOP
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
M29F040B70K1 |
فلاش اي سي 4 متر متوازي 32PLCC
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR |
IC FLASH 256M PARALLEL 64LBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT4112M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2 |
IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHz
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MX29LV040CQC-70G |
فلاش اي سي 4 متر متوازي 32PLCC
|
مكسيك، ماكرونيكس
|
|
|
|
|
|
MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-M |
IC FLASH MLC 64G 8GX8
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR |
فلاش IC 512 جيجا متوازي 167 ميجا هرتز
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
M25PX64-VME6TG تي آر |
إيك فلاش 64 متر SPI 75 ميجا هرتز 8VDFPN
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT29F256G08CECCBH6-6R:C |
IC FLASH 256G موازي 167MHZ
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
M27C4002-12F1 |
IC EPROM 4M PARALLEL 40CDIP
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
AT93C46E-PU |
إيسي إيبروم 1K SPI 2 ميجا هرتز 8DIP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
JS28F00AP30BFA |
IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
W25Q80JVUXIQ TR |
IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8USON
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MTFC16GAKAEDQ-AAT |
اي سي فلاش 128 جيجا ام ام سي
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT4السياسة القانونية |
LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
W25Q128FVSJP |
ذاكرة فلاش IC 128 ميجابايت
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MT46H32M32LFB5-5 IT: ب |
IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
الـ MT4H16M32LFBQ-5 AAT:C |
IC DRAM 512M بالتوازي 90VFBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
W25Q16FWSNIQ |
إيك فلاش 16 متر SPI 104 ميجا هرتز 8 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
24AA16-I / MS |
إيسي إيبروم 16K I2C 400 كيلو هرتز 8MSOP
|
تقنية الرقائق الدقيقة
|
|
|
|
|
|
W958D6DBCX7I تي آر |
IC PSRAM 256M الموازي 54VFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
AT25DN011-MAHFHT-T |
IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8UDFN
|
تقنيات Adesto
|
|
|
|
|
|
MT47H128M16RT-187E:C TR |
IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT41K512M8DA-093 تكنولوجيا المعلومات:P TR |
اي سي درام 4G متوازي 78FBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT46H32M16LFBF-5 آيت:C |
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
W25Q32FVZEIG TR |
IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MT41K512M4HX-15E: د |
IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|