المرشحات
المرشحات
ذاكرة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
W25Q256FVCIF TR |
اي سي فلاش 256M SPI 24TFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MT29F256G08CECCBH6-6C: ج |
IC FLASH 256G موازي 167MHZ
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
D9PRS |
IC DRAM 2G بالتوازي 96FBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MTFC4GMVEA-WT |
اي سي فلاش 32G MMC 153WFBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
BR24A08FJ-WME2 |
IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8SOPJ
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
MT53B4المنظمة |
LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT29F16G08CBECBL72A3WC1P |
IC FLASH 16G وافير مواز
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT4113102102 |
IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT48V8M16LFB4-10 IT:G TR |
IC DRAM 128M بالتوازي 54VFBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
BR25L010FVM-WTR |
إي سي إيبروم 1K SPI 5 ميجا هرتز 8MSOP
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
MT41K2G8KJR-125: أ |
IC DRAM 16G متوازي 78FBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
AT25DF321-S3U |
IC FLASH 32M SPI 70MHZ 16SOIC
|
تقنيات Adesto
|
|
|
|
|
|
MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y TR |
MLC EMMC/LPDDR3 280G
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MTFC8GACAENS-5M AAT TR |
اي سي فلاش 64 جيجا ام ام سي
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
W25Q128FVPJQ |
ذاكرة فلاش IC 128 ميجابايت
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MT29F1G08ABCHC:C |
فلاش IC 1G متوازي 63VFBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B |
IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D |
IC FLASH 4G موازية FBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
AT45DQ161-MHD2B-T |
إيك فلاش 16 متر SPI 100 ميجا هرتز 8UDFN
|
تقنيات Adesto
|
|
|
|
|
|
MT42L256M16D1GU-18 وزن: A TR |
IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MTFC4GGQDQ-IT TR |
IC FLASH 32G MMC 100LBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
BR93G46-3A |
ناقل ميكروواير 1 كيلو بايت (64 × 16 بت) إي إي
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
الـ MT48LC4M32B2B5-6A AIT:L |
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
W25Q64FVSCB1 |
إيك فلاش 64 متر SPI 104 ميجا هرتز
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MT47H64M16HR-25E IT:G TR |
IC DRAM 1G بالتوازي 84FBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
N25Q128A11ESE40F TR |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SOP2
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR |
فلاش IC 64 جيجا متوازي 167 ميجا هرتز
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
M95256-RMN6P |
IC EEPROM 256K SPI 20MHZ 8SO
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MT46V128M4FN-5B:D تر |
IC DRAM 512M بالتوازي 60FBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT47H32M8BP-3:B تر |
IC DRAM 256M بالتوازي 60FBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
W9812G2KB-6 |
IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M8A2TG-75 L:G |
IC DRAM 64M بالتوازي 54TSOP
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT42L64M32D1TK-18 AAT: C TR |
IC DRAM 2G بالتوازي 533 ميجا هرتز
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
BR24T02FVJ-WGE2 |
IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
MT29F4G16ABADAM60A3WC1 |
سائل IC FLASH 4G متوازي
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT40A1G4RH-075E:B |
IC DRAM 4G PARALLEL 1.33 GHz
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT41K128M8JP-125: جي |
IC DRAM 1G بالتوازي 78FBGA
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
MT46V32M8TG-6T IT:G TR |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
|
تقنية ميكرون
|
|
|
|
|
|
EPC1PI8N |
جهاز تكوين IC 1 ميجابايت 8DIP
|
شركة انتل
|
|
|
|
|
|
EPC2LC20 |
جهاز تكوين IC 1.6 ميجابايت 20PLCC
|
شركة انتل
|
|
|
|
|
|
EPC2TC32N |
FPGA - IC ذاكرة التكوين - سير. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
|
Altera / إنتل
|
|
|
|
|
|
EPC16QC100N |
جهاز تكوين IC 16 ميجابايت 100QFP
|
شركة انتل
|
|
|
|
|
|
EPC4QC100 |
جهاز تكوين IC 4 ميجابايت 100QFP
|
شركة انتل
|
|
|
|
|
|
EPC8QI100N |
جهاز تكوين IC 8 ميجابايت 100QFP
|
شركة انتل
|
|
|
|
|
|
EPC1213LC20 |
جهاز تكوين IC 212 كيلو بايت 20PLCC
|
شركة انتل
|
|
|
|
|
|
EPC1441TC32N |
جهاز تكوين IC 440 كيلو بايت 32TQFP
|
شركة انتل
|
|
|
|
|
|
EPCQ64SI16N |
FPGA - Configuration Memory IC - Ser. FPGA - ذاكرة التكوين IC - Ser. Config Mem Fla
|
Altera / إنتل
|
|
|
|
|
|
EPCE4QC100 |
جهاز تكوين IC 100QFP
|
شركة انتل
|
|
|
|
|
|
EPCE16QC100 |
جهاز تكوين IC 100QFP
|
شركة انتل
|
|
|
|
|
|
EPC1441TI32 |
جهاز تكوين IC 32TQFP
|
شركة انتل
|
|
|